南韓記憶體大廠三星電子(Samsung Electronics)跳電事件餘波盪漾，8日三星開出NAND型快閃記憶體(Flash) 官價讓模組廠瞠目結舌，因為三星一口氣將8Gb晶片由8美元調漲至9.5美元，32Gb晶片價格更高達35美元，三星陣營模組客戶大喊吃不消，直呼這樣成本價格怎能與東芝(Toshiba)及海力士(Hynix)陣營同業打仗？無獨有偶地，力晶本週所開出DRAM現貨官價，512Mb DDRII直接大漲近10%，同樣讓模組廠苦不堪言，並使得原已呈現買氣冷清的現貨市場，更徒增營運變數。
自從三星發生停電導致生產線暫停事件後，下游模組廠和三星競爭對手均高度關注三星NAND Flash官價變動情況，儘管三星下達封口令，極力淡化停電事件，然業界仍急著從三星8月上旬官價，來判斷這次停電事件影響程度及未來價格策略走向。模組廠表示，三星 8日開出最新NAND Flash官價，8Gb容量晶片從約8美元上調至9.5美元，16Gb晶片上調至18.5美元，32Gb晶片更大漲至35美元，遠超乎市場預期。
原本業界多認為，三星應不會一下子把官價拉得太高，以免抑制市場買氣，如今三星卻大幅漲價，簡直是跌破業界眼鏡。部分模組廠推測，三星這次停電受損情況非同小可，因此，三星必須藉由大幅調漲官價來彌補產出損失；不過，部分模組廠則認為，三星2007年上半記憶體部門業績未達預期水準，這次恐怕是刻意封鎖消息，藉機大調官價來大賺一筆。
值得注意的是，儘管三星這次大幅調高官價，但海力士並未跟進，東芝方面報價亦相當持平，與各界原預期海力士等廠恐將跟隨三星腳步、大幅調高官價大不相同。不過，這情況對於三星陣營的模組廠而言，就更值得憂心了，因為三星大幅漲價將模組廠客戶成本墊高，然海力士和東芝陣營的模組廠客戶成本卻未同步調漲，這將使其在終端市場很難與同業競爭。
此外，三星跳電事件影響層面還不是僅限於NAND Flash漲價，連DRAM現貨市場亦被波及，事實上，台系DRAM廠對於調漲現貨報價早已蠢蠢欲動，近期力晶便率先調漲DRAM現貨報價，512Mb DDRII顆粒報價調高至2.4美元，一次漲足近10%幅度，力晶對此更是認為理所當然，原因在於三星一旦調整產能由生產DRAM轉進NAND Flash，勢必會造成DRAM產出量降低，價格可說是不漲也難。
DRAM廠亦坦言，三星跳電事件發生後，對於下游客戶未必是一件好事，最主要因素在於現階段DRAM及NAND Flash現貨市場買氣仍顯冷清，並未出現大量成交情況，這讓模組廠下單意願原本就較為薄弱，如今三星調漲NAND Flash官價，加上力晶亦同步調漲DRAM現貨官價，這將使得模組廠未來在市場上的DRAM模組或NAND Flash卡更難賣出。
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